[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 202080039628.6 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113892167A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 石井弘晃;高冈诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使中央部由旋转卡盘5支承的衬底W绕旋转轴线A1旋转。在外周部蚀刻工序中，从处理液喷嘴6的排出口6a向设置于旋转的衬底W的上表面外周部102的着液位置105排出蚀刻液。在外周部蚀刻工序中，监视上表面外周部102的高度(上表面外周部102的高度应变HD)，基于求出的上表面外周部102的高度应变HD使着液位置105在径向RD上移动(高度应变监视工序(S6)着液位置移动工序(S7))。由此，由被供给到着液位置105的蚀刻液形成的液膜LF的内周位置LFa被调整为接近期望位置。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
