[发明专利]晶体管的集成偶极流在审
| 申请号： | 202080040979.9 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113924656A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林永景;卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯;李路平;陈世忠;杰奎琳·S·阮奇;杨逸雄;史蒂文·C.H·洪;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;吉田尚美;董琳 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 集成 偶极流 | ||
【主权项】：
暂无信息
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