[发明专利]磁传感器在审
| 申请号： | 202080041266.4 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN113906303A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三;筱龙德;坂胁彰;利根川翔;渡边恭成 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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