[发明专利]光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料在审
| 申请号： | 202080044168.6 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN114175294A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吉冈知昭;岩崎孝一 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L27/30;H01L51/46;C07D517/14;C07D513/22;C07D495/22;C07D495/14;C07D493/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 褚瑶杨;张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种光电转换元件，其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也显示稳定的性能。并且，提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜(11)、光电转换膜(12)及透明导电性膜(15)，其中，光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料。 |
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| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 成像 传感器 用材 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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