[发明专利]用于沉积包含镓和铟的半导体层系统的方法

摘要

本发明涉及一种用于沉积半导体层系统的方法，在所述方法中，第一层序列具有包含镓的层并且第二层序列具有包含铟的层。为了避免在沉积包含铟的层时来自处理室中的残余物中的镓嵌入包含铟的层中建议，在第一过程步骤中附加地将包含铟的反应气体馈入处理室(2)中并且这样设置第一过程参数(2)，使得第一层或者层序列(11)不包含铟，或者在第一和第二过程步骤之间的中间步骤中将包含铟的反应气体馈入处理室(2)中，并且在此这样设置过程参数，使得没有铟沉积到基体(4)上，并且在第二过程步骤中这样设置第二过程参数，使得第二层不包含镓。