[发明专利]用于基于针对某些存储单元的指定错误率修复缺陷存储器单元的设备及方法在审
| 申请号： | 202080046491.7 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN114026642A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | D·赫尔顿;T·施米茨;J·D·哈姆斯;J·赫里茨;K·马耶鲁斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/00;G11C7/10;G06F3/06;G06F12/02;G06F12/126 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开用于修复与高或低优先级相关联的存储器阵列的区中的缺陷存储器单元的方法、设备及系统。修复地址产生器可经配置以产生用于修复(例如，熔断熔丝电路处的熔丝)的存储器地址映射，这取决于某些应用是否可在指示低位错误率的高优先级或指示较高位错误率的低优先级下操作。举例来说，与低优先级相关联的指定错误率可对应于针对某些应用的阈值错误率，例如存储经训练权重的神经网络应用。此神经网络应用可存取部分存储在缺陷存储器单元中的经训练权重，其中此类经训练权重的最低有效位存储在未根据存储器地址映射修复的缺陷存储器单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 针对 某些 存储 单元 指定 错误率 修复 缺陷 存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
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