[发明专利]具有粗糙材料填充物的集成组合件及形成集成组合件的方法在审
申请号: | 202080048262.9 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN114051654A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | N·R·塔皮亚斯;A·李;A·W·扎克斯勒;K·舍罗特瑞;E·R·拜尔斯;M·J·金;D·T·N·德兰;吴慧盈;A·A·汗埃卡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L21/02;H01L21/285 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
一些实施例包含一种具有延伸到集成配置中的开口的结构。第一材料位于所述开口内且经配置以产生相对于所述开口的侧壁的波状构形。所述波状构形具有由平均粗糙度参数R |
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搜索关键词: | 具有 粗糙 材料 填充物 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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