[发明专利]具有减少的等离子体电弧的处理腔室在审
申请号: | 202080049741.2 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN114175207A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | F·吴;A·A·哈贾;S·哈;V·K·普拉巴卡尔;G·巴拉苏布拉马尼恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 付尉琳;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 处理系统包括腔室主体、基板支撑件和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件定位在腔室主体上方并限定处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及定位于所述第二电极和所述处理容积之间的绝缘构件。电源系统耦接所述第一电极和所述面板,并且设置为在所述处理容积中生成等离子体。 | ||
搜索关键词: | 具有 减少 等离子体 电弧 处理 | ||
【主权项】:
暂无信息
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