[发明专利]具有完全对准的通孔的互连结构在审
| 申请号： | 202080056584.8 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN114207794A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | C.朴;N.A.兰齐洛;C.佩尼;L.克莱文格;B.普拉纳塔西哈兰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈金林 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种互连结构(100)包括层间电介质(ILD)(112)，该层间电介质具有沿第一方向延伸穿过其中的空腔(122)。第一导电带(110)形成在衬底(102)上和空腔(122)内。第一导电带(110)沿第一方向并跨衬底(102)的上表面延伸。第二导电带(118)在所述ILD的上表面上并且沿与所述第一方向相反的第二方向延伸。完全对准的通孔(FAV)(124)在第一和第二导电带(110,118)之间延伸，使得FAV(124)的所有侧与第一导电带(110)的相对侧和第二导电带(118)的相对侧共面，由此提供与第一导电带(110)和第二导电带(118)完全对准的FAV。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 完全 对准 互连 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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