[发明专利]半导体激光器在审
| 申请号： | 202080060812.9 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN114402492A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 中村考宏;黑田隆之助;秋山英文;金昌秀;伊藤隆;中前秀一 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/0625;H01S5/34;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器，具备：光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的发光层；以及脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对光谐振器注入激励能量，其中，光谐振器具有被分离为增益区和吸收区的多段式结构，半导体激光器以比光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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