[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080064590.8 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN114514617A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/808;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具备源电极、漏电极和控制在源电极与漏电极之间流过的电流的栅极。并且，若将栅极与漏电极之间的电容设为第一电容Cgd，将栅极与源电极之间的电容设为第二电容Cgs，将第一电容Cgd与第二电容Cgs之和设为第三电容Ciss，将用电流变化率dI/dt规定的第一开关损耗Et(dI/dt)与用电压变化率dV/dt规定的第二开关损耗Et(dV/dt)之和设为总开关损耗Esum，则第一电容Cgd相对于第三电容Ciss的电容比Cgd/Ciss被设为总开关损耗Esum低于规定阈值的比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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