[发明专利]三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺在审
| 申请号： | 202080067413.5 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114450772A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;新实宽明;约迪·格热希科维亚克;丹尼尔·沙内穆加梅;拉尔斯·利布曼;苏巴迪普·卡尔;坎达巴拉·塔皮利;安东·德维利耶 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/74;H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L23/528;H01L23/535;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;唐明英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 逻辑 器件 反向 触点 硅化物 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
