[发明专利]超低剖面堆叠RDL半导体封装件在审
| 申请号： | 202080069514.6 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN114503257A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | A·帕蒂尔;卫洪博;D·F·雷 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/10;H01L25/16;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了超低剖面堆叠RDL半导体封装件。本文所述的具有堆叠RDL的半导体封装件的示例可以包括例如第一RDL和第二RDL，该第一RDL包括耦接到第二RDL的多个RDL层，该第二RDL包括使用铜柱和底部填充剂代替常规衬底的多个RDL层。本文的示例可以使用RDL代替衬底以实现更小的设计特征尺寸(x、y尺寸减小)、更薄的铜层和更少的金属使用(z尺寸减小)、在封装的任一侧附接半导体管芯和表面安装器件(SMD)的灵活性以及更少数量的构建RDL层。 | ||
| 搜索关键词： | 剖面 堆叠 rdl 半导体 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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