[发明专利]半导体集成电路装置在审
| 申请号： | 202080072108.5 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114556563A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 中冈康广 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 终端单元(C11)包括：在Y方向上分别形成在与纳米片(22a、23a)相同的位置处的纳米片(122a、123a)、和分别包围纳米片(122a、123)的Y方向上的外周的虚设栅极布线(143、146)。纳米片(22a、122a)的Y方向上的一侧的面分别从栅极布线(41)及虚设栅极布线(142)露出。纳米片(23a、123a)的Y方向上的一侧的面分别从栅极布线(43)及虚设栅极布线(146)露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
