[发明专利]用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法在审
| 申请号： | 202080077443.4 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114641731A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | J·加西亚圣克拉拉;J·M·芬德斯;H·F·赫夫纳格尔斯;G·里斯朋斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种处理衬底的方法，所述衬底具有形成在其上的金属氧化物抗蚀剂层，所述方法包括以下步骤：将所述衬底曝光于图案化辐射以形成包括位于所述金属氧化物抗蚀剂层中的多个特征的图案；将所述衬底的包括至少一个所述特征的一部分曝光于调节辐射，由此引起所述金属氧化物抗蚀剂层在所述部分中收缩。也提供使计算机设备执行上述方法的计算机程序、和其上存储有这种计算机程序的计算机程序产品，正如具有适于执行上述方法或运行上述程序的处理器的设备，诸如光刻设备。所述方法和设备可以导致临界尺寸均匀性的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 过程 改善 衬底 均匀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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