[发明专利]低阻抗交叉点架构有效
| 申请号： | 202080078630.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114730836B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | R·维尼加拉;P·M·弗兰;J·贾巴拉杰·约翰利·穆图拉伊;E·S·埃格;K·L·拜克;T·阮;D·魏曼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及低阻抗交叉点架构。制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料，之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙。所述制造系统可在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，其中所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 交叉点 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080078630.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
