[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080085890.4 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114846601A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 荒井俊介;西畑雅由;平光真二;柿本规行 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51)，在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域(151a)。高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d)，重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域，在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域(151d)至少包括收容剩余焊料的收容区域(151e)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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