[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质在审
| 申请号： | 202080089188.5 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114846587A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 冈岛优作;山口天和 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其具备：基板保持件，其保持基板；反应管，其在内部收纳基板保持件；加热部，其配置在反应管的周围和上部；以及收纳部，其构成为能够收纳气体供给喷嘴和第一温度测定部中的任一方或双方，该气体供给喷嘴配置在反应管的侧方，且配置为从反应管的外侧朝向反应管的内部相对于基板保持件所保持的基板的表面在水平方向上延伸，该第一温度测定部配置为从反应管的外侧朝向反应管的内部相对于基板保持件所保持的基板的表面在水平方向上延伸，基板处理装置能够对基板保持件所保持的基板均一地进行成膜处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
