[发明专利]三维存储器阵列中变化的沟道宽度在审
| 申请号： | 202080092405.6 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN114930534A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王琛;D·巴苏;R·法斯托;D·基奥西斯;Y·李;E·L·梅斯;D·帕夫洛普洛斯;J·图格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种包括变化宽度沟道(110a)的存储器阵列(100)。阵列(100)包括多条WL(106)，多条WL(106)在层上方，其中，层可以是存储器阵列(100)的选择栅极源极SGS(116)或用于将阵列(100)的第一层面(102a)与阵列(100)的第二层面(102b)隔离的隔离层(130a)。沟道(110a)延伸穿过多条字线(106)并且至少部分地穿过该层。沟道(110a)包括第一区域(113na、113nb)和第二区域(111wa、111wb)。沟道(110a)的第一区域(113na、113nb)具有与沟道(110a)的第二区域(111wa、111wb)的第二宽度(D1)相差至少1nm的第一宽度(D2)。第一区域(113na、113nb)延伸穿过多条字线(106)，并且第二区域(111wa、111wb)延伸穿过多条字线(106)下面的层的至少一部分。第一宽度(D2)比沟道(110a)的第二区域(111wa、111wb)的第二宽度(D1)小至少1nm。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 变化 沟道 宽度 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080092405.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非陆地网络的定位参考信号重复持续时间
- 下一篇：包含半亲水性组合物的吸收制品
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
