[发明专利]用于衬底处理系统的高精度边缘环对中在审
| 申请号： | 202080098902.7 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN115398616A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 韩慧玲;施萨拉曼·拉马钱德兰;马克·埃斯托桂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于等离子处理系统的边缘环对中系统包括处理室，其包括衬底支撑件和R个边缘环形升降销，其中R是大于或等于3的整数。边缘环包括位于其底面的P个凹槽，其中P为大于或等于R的整数。机械手臂包括末端执行器。控制器被配置为：使所述光学传感器感测所述边缘环在所述末端执行器上的第一位置；使所述机械手臂将所述边缘环传送到所述边缘环升降销上的第一中心位置；从所述边缘环升降销中取出所述边缘环；以及使所述光学传感器感测所述边缘环在所述末端执行器上的第二位置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 处理 系统 高精度 边缘 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
