[发明专利]半导体器件的蒸镀方法有效
| 申请号： | 202110000686.4 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112323022B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陆翼森;陈家洛;杨国文;张艳春 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司;苏州度亘光电器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的蒸镀方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的蒸镀方法，包括如下步骤：将经过氧化处理的金属铟放入腔室内；对腔室进行抽真空后通入保护气体；对腔室抽真空后，将金属铟加热到第一温度范围内，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第一设定时长；将金属铟加热到第二温度范围内并维持第二设定时长。本发明的半导体器件的蒸镀方法，在将金属铟放入用于蒸镀的腔室前，将金属铟进行氧化，使金属铟裸露的部分形成氧化铟的氧化膜，较自然氧化形成的氧化铟厚度较厚且致密，从而避免了金属铟与作业环境中的卤素、硫、硒、碲等物质反应，形成难以通过还原反应去除的物质，影响铟的蒸镀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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