[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110002052.2 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN113179038A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 江口佳佑 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M1/32;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于在半导体装置中抑制传导噪声。半导体装置(101)具有续流部(12)和全桥逆变器即逆变器部(11)，该续流部(12)将逆变器部(11)的输出端子(U‑V)之间短路，在上桥臂的各续流二极管(31、32)与输出端子(U、V)之间、以及下桥臂的各续流二极管(33、34)与逆变器部(11)的输入端子(N)之间具有阻抗(51‑54)，阻抗(51‑54)比假设仅通过配线将IGBT(21‑24)与输出端子(U、V)或者输入端子(N)连接的情况下的配线的寄生阻抗大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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