[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202110003654.X | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN113161419B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了结构和方法，包括：在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件，以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和延伸到第二源极/漏极结构的第二沟槽。导电层在沟槽中沉积和图案化以形成到第一源极/漏极结构的导电通孔。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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