[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110005537.7 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN113345962A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 萧茹雄;苏庆煌;苏斌嘉;卢颕新;黄一珊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法包括：形成自半导体衬底凸出的位于鳍部上方的伪栅极堆叠件；形成位于伪栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；形成位于鳍部的部分上方的源极/漏极(S/D)部件；形成位于栅极间隔件之间的栅极沟槽，其包括修整栅极间隔件的顶部，以形成位于栅极沟槽中的漏斗状开口；以及形成位于栅极沟槽中的金属栅极结构。在本实施例中，形成栅极沟槽。一种半导体结构包括：鳍部，自衬底凸出；金属栅极结构，设置在鳍部上方；栅极间隔件，设置在金属栅极结构的侧壁上；其中，每个栅极间隔件的顶面都成角度朝向半导体鳍部；介电层，设置在每个栅极间隔件的顶面上方；以及导电部件，设置在栅极间隔件之间，以接触金属栅极结构；其中，导电部件的侧壁接触介电层，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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