[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202110010266.4 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112331615B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李孙峰;王嘉祥 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过先获取第一刻蚀工艺的刻蚀时间，并根据所述第一刻蚀工艺的刻蚀时间及第二栅绝缘层与位于所述第二栅绝缘层上的侧墙层两者的总厚度可以准确的得到刻蚀速率，从而无需停机测试刻蚀机台的刻蚀速率，进而根据所述刻蚀速率及剩余的所述第一栅绝缘层中需去除的部分的厚度能够有效的得到第二刻蚀工艺的刻蚀时间，由此，在执行第二刻蚀工艺时，可以准确的控制所述第二刻蚀工艺的刻蚀时间，从而可以使所述第一栅绝缘层的厚度减小至目标厚度，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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