[发明专利]一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置有效
| 申请号： | 202110017165.X | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112834894B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;周文鹏;余占清;赵彪;吴锦鹏;陈政宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28;G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张迎新;史光伟 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 电流密度 反演 磁场 测试 装置 | ||
【主权项】：
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