[发明专利]存储装置中的阵列边缘中继器在审
| 申请号： | 202110017613.6 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113113060A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 朴山河 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置中的阵列边缘中继器。存储装置包括多个子阵列、行控件、列控件、多个感测放大器、多个子字驱动器以及中继器。子阵列中的每一个彼此电性耦接。行控件控制子阵列中的至少一行。列控件控制子阵列中的至少一列。感测放大器适用于子阵列中的每一个，感测放大器在数据存取操作期间周期性地启用。子字驱动器邻近于子阵列中的每一个进行布置且提供对应于子阵列的驱动信号。中继器布置在子阵列的边缘上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 中的 阵列 边缘 中继 | ||
【主权项】：
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