[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110017758.6 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114743977A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 蔺黎;施平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/423;H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，半导体衬底表面依次形成有浮栅介质层和浮栅层，其中在第一区域的半导体衬底、浮栅介质层和浮栅层中形成有隔离结构，在第二区域的浮栅层表面形成分立的控制栅结构；在控制栅结构的侧壁形成第一侧墙，并且在第一侧墙两侧的浮栅层表面以及第一区域的浮栅层和隔离结构表面形成介质层；去除相应的第一侧墙的部分及相应的第一侧墙所在侧的介质层，在控制栅结构的侧壁形成偏移侧墙；去除第一区域的介质层和部分隔离结构以及第二区域其余的介质层。本申请的半导体结构及其形成方法可以改善器件速率，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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