[发明专利]一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202110036640.8 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN112885503B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 陈新亮;刘璋;侯国付;张晓丹;赵颖 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;H01L31/0224;H01L33/42;H01L51/42;H01L51/44;G09F9/30;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/08;C23C14/24;C23C14/06
代理公司: 天津耀达律师事务所 12223 代理人: 侯力
地址: 300350 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用,属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜,其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料,Ar气体作为溅射气体,选择性地在镀膜过程中引入微量O2;利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜,从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(~5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度,能在保持良好导电性的前提下,大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率,且制造温度和镀膜成本低、环境友好,其OMO复合薄膜可应用于光电器件。
搜索关键词: 一种 超薄 omo 复合 透明 导电 薄膜 制备 方法 应用
【主权项】:
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