[发明专利]具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维存储器件有效
| 申请号： | 202110040294.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113161366B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了具有使用内插器的堆叠器件芯片的三维(3D)存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括第一和第二器件芯片以及其间的内插器。第一器件芯片包括外围器件以及处于所述第一器件芯片的表面上并且电连接至所述外围器件的第一芯片触点。第二器件芯片包括交替导体/电介质堆叠层、竖直延伸通过所述交替导体/电介质堆叠层的存储器串、以及处于所述第二器件芯片的表面上并且电连接至所述存储器串的第二芯片触点。所述内插器包括内插器衬底以及处于所述内插器的相对表面上并且通过所述内插器衬底相互电连接的第一和第二内插器触点。第一和第二内插器触点分别附接至所述第一和第二芯片触点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 使用 内插 堆叠 器件 芯片 三维 存储 | ||
【主权项】：
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