[发明专利]光蚀刻系统以及液滴控制方法在审
| 申请号： | 202110043949.X | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113275741A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 廖啟宏;施柏铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/146 | 分类号： | B23K26/146;B23K26/14;G03F7/20;G01P5/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光蚀刻系统以及液滴控制方法，光蚀刻系统利用锡液滴来产生用于光蚀刻制程的极紫外辐射。该光蚀刻系统用一激光器照射这些液滴。这些液滴变为通电且发射极紫外辐射。一收集器将该极紫外辐射朝向一光蚀刻靶反射。该光蚀刻系统通过使用一充电电极在这些液滴内产生一净电荷且通过在一相对电极内施加一电场来使这些液滴减速，来减少这些锡液滴到该接收器上的回溅。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 系统 以及 控制 方法 | ||
【主权项】：
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