[发明专利]半导体装置及其形成方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括位于衬底上方的第一导电线及第一导电线上方的存储器结构。存储器结构通过导电通孔电性耦合至第一导电线。间隔件层位于存储器结构侧边且覆盖存储器结构的侧壁。第一介电层位于间隔件层上且位于存储器结构侧边。第二介电层位于存储器结构、间隔件层及第一介电层上。第二导电线穿过第二介电层、第一介电层及间隔件层，以与存储器结构电性耦合。第二导电线包括至少部分地嵌置于第二介电层中的主体部以及位于主体部下方且侧向凸出于主体部侧壁的延伸部。延伸部电性连接至存储器结构的上电极，且被间隔件层环绕包覆。