[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110047836.7 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112864151B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽及所述浅沟槽限定的有源区，在沿预设方向上，所述浅沟槽具有交替排布的第一区域及第二区域，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；浅沟槽隔离结构，填充在所述浅沟槽内，在所述第一区域，所述浅沟槽隔离结构至少包括依次设置的第一填充层及第二填充层，其中，所述第二填充层为低K介质层，在所述第二区域，所述浅沟槽隔离结构至少包括所述第一填充层。本发明优点是，利用第二填充层(低K介质材料)的隔离作用而阻挡电子的流通，从而避免了寄生电容的产生，从而避免了漏电流的产生，大大提高了半导体器件的电学性能，提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
