[发明专利]半导体装置及裂纹检测方法在审
| 申请号： | 202110053705.X | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113140547A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高野和豊;中村浩之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及裂纹检测方法。提供一种能够高精度地对裂纹的发展状况进行检测的半导体装置。半导体装置(100)是使用半导体基板(1)形成的，具有形成有半导体元件的有源区域(10)以及有源区域(10)的外侧的边缘终止区域(20)。在半导体基板(1)的边缘终止区域(20)形成有裂纹检测构造体(30)。裂纹检测构造体(30)具有：沟槽(31)，其形成于半导体基板(1)，在边缘终止区域(20)的周向延伸；内壁绝缘膜(32)，其形成于沟槽(31)的内壁；埋入电极(33)，其形成于内壁绝缘膜(32)之上，埋入至沟槽(31)；以及监视电极(34)，其形成于半导体基板(1)之上，与埋入电极(33)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 裂纹 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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