[发明专利]3D存储器的配置方法、读取方法以及3D存储器有效
| 申请号： | 202110054084.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112820328B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;蒋颂敏;黄德佳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D存储器的配置方法、读取方法以及3D存储器，配置方法包括在与选定字线对应的多个选定存储单元中写入数据，测量选定存储单元的阈值电压以获得关系表，并将关系表写入配置块；读取方法包括获取数据读取请求以确定待读数据所在的存储块，读取其选定字线，以获得与所述选定字线对应的多个选定存储单元中阈值电压小于第一预定电压的存储单元的个数，查找配置块中的关系表以得到与之对应的导通电压，在非读字线上施加导通电压，在读取字线上施加读取电压，以获得待读取数据，使用上述配置方法和读取方法的3D存储器能够动态降低存储单元的导通电压从而降低读操作引起的读干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 配置 方法 读取 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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