[发明专利]基于SRAM实现存储及模拟计算的电路及存储及模拟计算系统在审
| 申请号： | 202110054161.9 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112767985A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱贤桢;梁龙飞 | 申请（专利权）人： | 上海新氦类脑智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 倪静 |
| 地址： | 200090 上海市杨浦区长阳*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的基于SRAM实现存储及模拟计算的电路及存储及模拟计算系统，解决了现有技术中一般仅将SRAM应用于运作存储单元，并不能使SRAM作为基础的模拟运算单元，进而使用效率降低的问题。本发明充分利用了SRAM的特性，让SRAM不仅有存的能力，同时又具备了算的能力，通过在每一个单元外接6个开关，赋予其可以进行乘加运算的能力，大大提高了使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sram 实现 存储 模拟 计算 电路 系统 | ||
【主权项】：
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