[发明专利]三维半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 202110054620.3 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN113130504A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 梁宇成;李炳镇;康范圭;李东植 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11563 分类号: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11573
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种三维半导体存储器装置包括:第一外围电路,其包括不同的解码器电路;第一外围电路上的第一存储器;以及第一存储器上的第二存储器,第一存储器包括:第一堆叠结构,其具有堆叠在彼此上的第一电极层和它们之间的第一电极间介电层;第一平面化介电层,其覆盖第一堆叠结构的端部;以及穿通件,其穿透第一堆叠结构的端部,穿通件电连接至所述解码器电路中的一个,第二存储器包括:第二堆叠结构,其具有堆叠在彼此上的第二电极层以及它们之间的第二电极间介电层;第二平面化介电层,其覆盖第二堆叠结构的端部;以及单元接触插塞,其将第二电极层中的一个电连接至穿通件。
搜索关键词: 三维 半导体 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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