[发明专利]瞬时电压抑制装置有效
| 申请号： | 202110056992.X | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112802824B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杨敦智;陈子平;林昆贤 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种瞬时电压抑制装置，其包括P型半导体层、第一N型井区、第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区。第一N型井区设于P型半导体层中，第一N型重掺杂区与第一P型重掺杂区设于第一N型井区中，并共同耦接第一接脚，且第一P型重掺杂区与第一N型井区的底部相离。第二P型重掺杂区设于第一N型井区内，并与第一N型井区的侧壁相离，第二P型重掺杂区浮接。第二N型重掺杂区设于P型半导体层中，并耦接第二接脚。第二P型重掺杂区设于第一P型重掺杂区与第二N型重掺杂区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬时 电压 抑制 装置 | ||
【主权项】：
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