[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式提供一种减少因切割引起的不良的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1衬底及第2衬底，所述第1衬底包含：第1元件区域；第1外围区域，包围第1元件区域；第1绝缘体区域，设置在第1元件区域及第1外围区域，且在第1外围区域包含第1凹部；第1金属层，设置在第1元件区域；环形第1导电体，设置在第1外围区域的第1绝缘体区域中，且包围第1元件区域；所述第2衬底包含：第2元件区域；第2外围区域，包围第2元件区域；第2绝缘体区域，设置在第2元件区域及第2外围区域，在第2外围区域包含与第1凹部对向的第2凹部，且与第1绝缘体区域相接；第2金属层，设置在第2元件区域，且与第1金属层相接；及环形第2导电体，设置在第2外围区域的第2绝缘体区域中，且包围第2元件区域。