[发明专利]存储器件以及形成存储器件的方法有效
| 申请号： | 202110060602.6 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112885838B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王启光;付婕妃 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种用于制作存储器件的方法包括：提供初始半导体结构，其包括基础衬底、具有层间电介质层和第一牺牲层的堆叠结构；以及贯穿所述堆叠结构形成的沟道沟槽。所述方法包括：从沟道沟槽去除每个第一牺牲层的一部分，以形成捕获层沟槽；在捕获层沟槽中形成第二牺牲层；形成电荷捕获膜以填充捕获层沟槽；以及从沟道沟槽去除电荷捕获膜的一部分，以形成电荷捕获层；在沟道沟槽的侧壁上形成隧穿层和沟道层；去除第一牺牲层和第二牺牲层；在电荷捕获层上形成阻挡层；以及在邻近层间电介质层之间形成与隧穿层接触的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
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