[发明专利]一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110068716.5 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN112899641B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 徐金昌;赵小玻;訾蓬;王传奇;李小安;曹延新;毕涵;玄真武;田龙;陈相栋 申请(专利权)人: 山东欣远新材料科技有限公司;中材人工晶体研究院(山东)有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/02;C23C16/458;C23C16/52
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 代理人: 洪秀凤
地址: 250200 山东省济南市章丘市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,包括基体预处理、植晶、双面掺硼金刚石薄膜沉积,沉积步骤包括将基体卡设于热丝化学气相沉积装置的基台中,调整基台位于热丝化学气相沉积装置的由通过支撑装置支撑的多根相互平行的热丝组成的上下两组热丝组之间的位置,使基体与上下热丝组平行,抽真空后通氢气、甲烷和三甲基硼烷,用电极对热丝组加热得到双面掺硼金刚石薄膜电极。本发明在沉积薄膜时,基体处于两组热丝组间,可同时在基体上下面沉积薄膜,提高沉积效率;本发明热丝由支撑装置支撑,支撑装置对热丝起支撑作用,阻止热丝通电加热的下垂,使热丝整体与基体的间距基本保持不变,温度场均匀,保证成膜质量,薄膜沉积成功率高。
搜索关键词: 一种 双面 金刚石 薄膜 电极 制备 方法
【主权项】:
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