[发明专利]GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器在审
| 申请号： | 202110073640.5 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112886385A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | B.加森德;P-Y.德罗兹 | 申请（专利权）人： | 伟摩有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金玉洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及系统、电路和方法。示例系统包括光发射器件、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。光发射器件耦合到供电电压。第一场效应晶体管串联地耦合在光发射器件和地之间。第二场效应晶体管包括耦合到供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子。光发射器件被配置为基于通过第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | ganfet 作为 用于 快速 激光 脉冲 发生器 储能器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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