[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110079132.8 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299624A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张尚杰;卢伟隆;伯特·包柏;安卓·阿可德拉;中村慎吾 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/04;H01L23/10;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，半导体装置包括：衬底，所述衬底包括顶侧、底侧和导电结构；主体，所述主体在所述衬底的所述顶侧上方；电子组件，所述电子组件在所述衬底的所述顶侧上方且邻近于所述主体，其中所述电子组件包括在所述电子组件的顶侧上的接口元件；在所述接口元件上方的盖子以及在所述电子组件的所述顶侧与所述盖子之间的密封件；以及缓冲物，所述缓冲物在所述电子组件与所述主体之间的所述衬底的所述顶侧上。本文中还公开其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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