[发明专利]测定高纯四氟化锗中痕量杂质元素含量的采样及测试方法在审

专利信息
申请号: 202110094053.4 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112730591A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 罗中旭;普世坤;尹国文;李正美;吴王昌;刘文君;朱知国;谢天敏;陈维迪;林作亮 申请(专利权)人: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 董昆生
地址: 677000 云南省临沧市*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明属于有色金属产品检测技术领域,具体公开一种测定高纯四氟化锗中痕量杂质元素含量的采样及测试方法,包括采样、制样、样品处理和使用电感耦合等离子体质谱法对高纯四氟化锗进行分析测定等步骤。采样过程中将采样装置充入一定量氮气放置于40‑50℃水中恒温沉化1‑2h,恒温沉化后,使用高纯氮气充入采样装置容积的60%‑80%进行反复冲洗3‑4次,然后从产品瓶中取得0.3g-1.0g的高纯四氟化锗样品。本发明建立了一种简单高效、快速准确的高纯四氟化锗样品微量金属杂质含量的测定方法。以实际样品对该测量方法进行测试评估,本发明的测试方法前处理简便可靠,测量结果具有较高的灵敏度和精密度,可作为高纯四氟化锗中痕量杂质含量的检测方法。
搜索关键词: 测定 高纯 氟化 痕量 杂质 元素 含量 采样 测试 方法
【主权项】:
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