[发明专利]化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110095900.9 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN114195643A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 笹尾典克;浅川钢儿;杉村忍 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: C07C69/76 分类号: C07C69/76;C08F20/30;G03F7/004;G03F7/09
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请发明涉及一种化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法。本发明的图案形成材料在如下情况下使用,即,在具有被加工膜的衬底的被加工膜上,使用图案形成材料形成有机膜并进行图案化之后,将使金属化合物含浸在有机膜中所得的复合膜作为掩模图案而对被加工膜进行加工时,且本发明的图案形成材料含有包含下述通式(3)所表示的单体单元的聚合物。[化1]其中,R1是H或CH3,R2是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的C2‑14的烃基,Q是氢原子可以被卤素原子取代的C1‑20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的C1‑20的烃基的碳‑碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基,X及Y分别独立地是氢原子或C1‑4的烃基,其中至少1个为C1‑4的烃基。
搜索关键词: 化合物 聚合物 图案 形成 材料 方法 半导体 装置 制造
【主权项】:
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