[发明专利]用于检查图案缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110102885.6 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113053764A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈儒莹;李哲言;张家峰;林华泰;黄得智;孙启元;黄建元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。在一种用于检查图案缺陷的方法中，在底层之上形成多个图案。多个图案彼此电隔离。用电子束扫描多个图案的一部分以使多个图案带电。获得从多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度。搜索多个图案中的显示出与多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检查 图案 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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