[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202110103241.9 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113394119A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 田中才工 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供削减制造成本并进行特性改善的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在主电流引线框架(41a)的晶片焊盘部(41a1)的正面配置第一、第二半导体芯片(21a、21b)，进行布线。接着，以使主电流引线框架(41a)的端子部(41a3)突出，露出晶片焊盘部(41a1)的背面的方式，利用半固化状态的密封原料密封主电流引线框架(41a)和第一、第二半导体芯片(21a、21b)而形成半固化单元。并且，将绝缘片(70)的正面与半固化单元的背面压接，覆盖主电流引线框架(41a)的晶片焊盘部(41a1)的背面。在这样的制造方法中绝缘片(70)不会翘起，并且无论成形模具的规格如何都能够安装绝缘片(70)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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