[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110103265.4 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161457B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;刘源 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，所述紫外发光二极管还包括设置在所述有源层和所述P型层之间的电子限制层，所述电子限制层为AlGaN/MgN/InAlGaN/MgN/AlN层。该紫外发光二极管外延片可以提高电子和空穴的辐射复合效率，从而提高紫外发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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