[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110103951.1 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113284845A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 三原龙善 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在包括半导体衬底、绝缘层和半导体层的衬底上形成MISFET之后，在该衬底上形成层间绝缘膜和第一绝缘膜。而且，在第一绝缘膜和层间绝缘膜中的每一个中形成开口之后，在开口的底部和开口的侧表面中的每一个处、以及还在第一绝缘膜的上表面上形成第二绝缘膜。此外，通过蚀刻去除形成在开口的底部处的第二绝缘膜和形成在第一绝缘膜的上表面上的第二绝缘膜中的每一个。之后，在如下条件下蚀刻开口内部：与绝缘层相比，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的每一个被更少地蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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