[发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110104908.7 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112786676A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫;汪鹏;李蜀文 | 申请（专利权）人： | 赫芯（浙江）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/02;B28D5/04 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;杨孟娟 |
| 地址： | 314214 浙江省嘉兴市平湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法，该硅晶圆结构包括：切割面以及111腐蚀面，所述切割面和所述111腐蚀面的夹角为45°。该制造方法，包括采用100晶向生长的硅单晶棒，偏离100面9.74°切割形成切割面；腐蚀得到非对称的111腐蚀面，其中一111腐蚀面与所述切割面的夹角为45°。本申请形成一切割面，然后在腐蚀形成111腐蚀面，克服了现有技术中111面和100面夹角是54.74°而非45°的问题，实现了切割面和111腐蚀面的夹角为45°的要求，可获得45°反射镜，满足市场使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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